【图文】媄响屏蔽材料的屏蔽效能的因?~隙늣泄漏的措?/h1>
来源Q?a href='http://www.ri8k4u.cn/news/50.html'>http://www.ri8k4u.cn/news/50.html 发布旉 : 2015-12-28
常州屏宇屏蔽讑֤有限公司是一家专业的屏蔽?/b>、屏蔽衬垫公司,在上文章中我们了解?b>屏蔽机房Q今天我们就为大家讲解一下媄响屏蔽材料的屏蔽效能的因?~隙늣泄漏的措?
深入理解下面的结论对于结构设计是十分重要的?/p>
1Q材料的导电(sh)性和导磁性越好,屏蔽效能高Q但实际的金属材料不可能兼顾q两个方面,例如铜的导电(sh)性很好,但是导磁性很差;铁的导磁性很好,但是导电(sh)性较差。应该用什么材料,Ҏ(gu)具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来军_是侧重导甉|还是导性;
2Q频率较低的时候,吸收损耗很,反射损耗是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反损耗;
3Q反损耗与辐射源的Ҏ(gu)有养I对于?sh)场辐射源,反射损耗很大;对于场辐射源,反射损耗很。因此,对于场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗,应该选用导率较高的材料做屏蔽材料?/p>
4Q反损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关Q对于电(sh)源Q距越q,则反损耗越大;对于场辐射源,距离近Q则反射损耗越;正确判断辐射源的性质Q决定它应该靠近屏蔽体,q是原理屏蔽体,是结构设计的一个重要内宏V?/p>
5Q频率较高时Q吸收损耗是主要的屏蔽机理,q时与辐源是电(sh)源q是场辐射源关pM大?/p>
6Q电(sh)场L是最Ҏ(gu)屏蔽的,q面波其ơ,场波是最隑ֱ蔽的。尤其是Q?KHz以下Q低频磁场,很难屏蔽。对于低频磁场,要采用高导磁性材料,影响屏蔽材料的屏蔽效能的因素甚至采用高导甉|材料和高导性材料复合v来的材料?/p>
(zhn)或许感兴趣的文章:(x)常州屏蔽机房的用与保养
一般情况下Q屏蔽机׃的不同部分的l合处不可能完全接触Q只能在某些Ҏ(gu)触上Q这构成了一个孔z阵列。缝隙是造成屏蔽机箱屏蔽效能降的主要原因之一。在实际工程中,常常用缝隙的L来衡量缝隙的屏蔽效能。缝隙的L小Q则늣泄漏小Q屏蔽效能越高?/p>
~隙处的LQ缝隙的L可以用电(sh)d?sh)容q联来等效,因ؓ(f)接触上的点相当一个电(sh)阻,没有接触的点相当于一个电(sh)容,整个~隙是许多?sh)阻和?sh)容的q联。低频时Q电(sh)d量v主要作用Q高频时Q电(sh)容分量v主要作用。由于电(sh)容的Ҏ(gu)随着频率升高降低Q因此如果缝隙是主要泄漏源,则屏蔽机q屏蔽效能优势随着频率的升高而增加。但是,如果~隙的尺寸较大,高频泄漏也是~隙泄漏的主要现象?/p>
影响?sh)阻成分的因素?x)影响~隙上电(sh)L分的因素主要有:(x)接触面积Q接触点敎ͼ、接触面材料Q一般较软的材料接触?sh)阻较小Q、接触面的清z程度、接触面的压力(压力要以接触点穿透金属表层氧化层Q、氧化腐蚀{?/p>
影响?sh)容成分的因素?x)Ҏ(gu)?sh)容器原理,很容易知道?x)两个表面之间距离近Q相对的面积大Q则?sh)容大?/p>
解决~隙泄漏的措施:(x)
1Q?接触面的重合面积Q这可以减小?sh)阻、增加电(sh)宏V?/p>
2Q?使用~隙늣泄漏的措施尽量多的紧钉,q也可以减小?sh)阻、增加电(sh)宏V?/p>
3Q?保持接触面清z,减小接触?sh)阻?/p>
4Q?保持接触面较好的qx度,q可以减电(sh)阅R增加电(sh)宏V?/p>
5Q?使用늣密封衬垫Q消除缝隙上不接触点?/p>
以上是关于“媄响屏蔽材料的屏蔽效能的因?~隙늣泄漏的措施”的一些介l,如果想了解关?a href="http://www.ri8k4u.cn/supply/4.html">屏蔽衬垫、、屏蔽机房等资讯Q可以关注我们的最新资讯;
本文关键词:(x)
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影响?sh)阻成分的因素?x)影响~隙上电(sh)L分的因素主要有:(x)接触面积Q接触点敎ͼ、接触面材料Q一般较软的材料接触?sh)阻较小Q、接触面的清z程度、接触面的压力(压力要以接触点穿透金属表层氧化层Q、氧化腐蚀{?/p>
影响?sh)容成分的因素?x)Ҏ(gu)?sh)容器原理,很容易知道?x)两个表面之间距离近Q相对的面积大Q则?sh)容大?/p>
解决~隙泄漏的措施:(x)
1Q?接触面的重合面积Q这可以减小?sh)阻、增加电(sh)宏V?/p>
2Q?使用~隙늣泄漏的措施尽量多的紧钉,q也可以减小?sh)阻、增加电(sh)宏V?/p>
3Q?保持接触面清z,减小接触?sh)阻?/p>
4Q?保持接触面较好的qx度,q可以减电(sh)阅R增加电(sh)宏V?/p>
5Q?使用늣密封衬垫Q消除缝隙上不接触点?/p>
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